STGF20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF20M65DF2
STGF20M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

ECAD模型:
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库存量: 478

库存:
478 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.7637 ¥19.76
¥9.6728 ¥96.73
¥8.6897 ¥868.97
¥6.9495 ¥3,474.75
¥6.3845 ¥6,384.50
¥5.9099 ¥11,819.80
¥5.5483 ¥27,741.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
32.6 W
- 55 C
+ 175 C
STGF20M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99