您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

STGP7H60DF

Name: STMicroelectronics STGP7H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP7H60DF
Price: 14.2 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGP7H60DF

制造商编号：

STGP7H60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

完成您的设计

数据表:

STGP7H60DF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STGP7H60DF详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 15 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥16.046	¥16.05
	¥7.6727	¥76.73
	¥6.8591	¥685.91
	¥5.424	¥2,712.00
	¥4.9607	¥4,960.70
	¥4.5652	¥9,130.40
	¥4.3957	¥17,582.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.95 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	14 A
Pd-功率耗散:	88 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGP7H60DF
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	14 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	2000
子类别:	IGBTs
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STGP7H60DF 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的高速 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。得益于 ST 高级的沟槽式栅极场终止高速技术，这些 IGBT 在 T_J=150C 时具有 5μs 的最低短路承受时间、最少的集电极电流关闭拖尾，以及低至 2.1 V （典型值）的极低饱和电压_(sat)），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是不间断电源、焊接机、光伏逆变器、功率因数校正、及高频转换器应用的理想选择。
了解更多