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STGWA30HP65FB2

Name: STMicroelectronics STGWA30HP65FB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30HP65FB2
Price: 23.79 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGWA30HP65FB2

制造商编号：

STGWA30HP65FB2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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数据表:

STGWA30HP65FB2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	50 A
Pd-功率耗散:	167 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	50 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1200
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STGWA30HP65FB2 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce_(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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