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STGWT80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT80H65DFB
Price: 53.95 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STGWT80H65DFB

制造商编号：

STGWT80H65DFB

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd

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数据表:

STGWT80H65DFB 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥60.9635	¥60.96
	¥30.3518	¥303.52
	¥25.1425	¥2,514.25
	¥23.4927	¥14,095.62

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-3P
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	120 A
Pd-功率耗散:	469 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGWT80H65DFB
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	80 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	300
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.756 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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