STGWT80H65DFB

STMicroelectronics
511-STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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数量 单价
总价
¥57.4831 ¥57.48
¥33.0864 ¥330.86
¥23.7413 ¥2,374.13
¥23.4927 ¥14,095.62

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT80H65DFB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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