DRV5055A3QLPGM

Texas Instruments
595-DRV5055A3QLPGM
DRV5055A3QLPGM

制造商:

说明:
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric linear h all effect sensor w A 595-DRV5055A3QLPG

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库存量: 5,512

库存:
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.3788 ¥5.38
¥4.7573 ¥23.79
¥4.3166 ¥43.17
¥4.181 ¥209.05
¥4.0115 ¥401.15
¥3.6838 ¥1,841.90
¥3.5595 ¥3,559.50
¥3.5369 ¥7,073.80
整卷弹药盒(请按3000的倍数订购)
¥3.0058 ¥9,017.40

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Bulk
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1

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板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric linear h all effect sensor w A 595-DRV5055A3QLPGM

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 板机接口霍耳效应/磁性传感器
RoHS:  
Ratiometric Linear
6 mA
1 mA
+/- 85 mT, +/- 88 mT
3.3 V, 5 V
- 40 C
+ 125 C
Through Hole
TO-92-3
DRV5055
Ammo Pack
商标: Texas Instruments
输出电压: 0 V to 5.5 V
产品类型: Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
灵敏度: 25 mV/mT
工厂包装数量: 3000
子类别: Sensors
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
单位重量: 37 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DRV5055/DRV5055-Q1线性霍尔效应传感器

Texas Instruments DRV5055/DRV5055-Q1比例式线性霍尔效应传感器成比例地响应磁通密度。该器件可用于精确的位置检测,应用十分广泛。DRV5055/DRV5055-Q1采用3.3V或5V电源。没有磁场时,模拟输出驱动一半VCC。输出与施加的磁通密度保持线性变化,四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现最大输出电压摆幅。南北磁极生产独特电压。感应垂直封装顶部的磁通量,两种封装选项提供不同感应方向。该器件采用比例式架构,可消除外部模拟数字转换器 (ADC) 使用相同VCC作为其参考时来自VCC容差的错误。另外,DRV5055/DRV5055-Q1可抵消磁体漂移的磁体温度补偿,从而在–40°C至125°C的宽温度范围内实现线性性能。DRV5055-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。