DRV5055Z2EDBZRQ1

Texas Instruments
595-DRV5055Z2EDBZRQ1
DRV5055Z2EDBZRQ1

制造商:

说明:
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Automotive ratiomet ric linear Hall-effe

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 板机接口霍耳效应/磁性传感器
RoHS:  
Ratiometric Linear Hall-Effect Sensor
6 mA
1 mA
+/- 42 mT, +/- 44 mT
3.3 V, 5 V
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-23-3
DRV5055
商标: Texas Instruments
输出类型: Analog
产品类型: Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
灵敏度: 50 mV/mT
工厂包装数量: 3000
子类别: Sensors
电源电压-最大: 3.63 V
电源电压-最小: 3 V
端接类型: SMD/SMT
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

DRV5055/DRV5055-Q1线性霍尔效应传感器

Texas Instruments DRV5055/DRV5055-Q1比例式线性霍尔效应传感器成比例地响应磁通密度。该器件可用于精确的位置检测,应用十分广泛。DRV5055/DRV5055-Q1采用3.3V或5V电源。没有磁场时,模拟输出驱动一半VCC。输出与施加的磁通密度保持线性变化,四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现最大输出电压摆幅。南北磁极生产独特电压。感应垂直封装顶部的磁通量,两种封装选项提供不同感应方向。该器件采用比例式架构,可消除外部模拟数字转换器 (ADC) 使用相同VCC作为其参考时来自VCC容差的错误。另外,DRV5055/DRV5055-Q1可抵消磁体漂移的磁体温度补偿,从而在–40°C至125°C的宽温度范围内实现线性性能。DRV5055-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
3,000
预期 2026/12/24
生产周期:
26
大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 1001
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥12.3283 ¥12.33
¥10.3395 ¥51.70
¥9.6728 ¥96.73
¥8.0908 ¥404.54
¥7.5145 ¥751.45
¥6.3393 ¥3,169.65
¥5.9325 ¥5,932.50