您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

LM74912QRGERQ1

Name: Texas Instruments LM74912QRGERQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM74912QRGERQ1
Price: 32.67 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-LM74912QRGERQ1

制造商编号：

LM74912QRGERQ1

制造商：

Texas Instruments

说明：

专业电源管理 (PMIC) Automotive ideal dio de with integrated

数据表:

LM74912QRGERQ1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments LM74912QRGERQ1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	专业电源管理 (PMIC)
RoHS:
系列:	LM74912
类型:	Controller
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-24
输出电流:	2.37 A
输入电压 - 最大值:	65 V
输入电压 - 最小值:	3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
输入电流:	615 uA
应用:	Active ORing for Redundant Power, Automotive Battery Protection - ADAS Domain Controller, Automotive External Amplifier, Infotainment and Cluster
商标:	Texas Instruments
湿度敏感性:	Yes
产品:	Ideal Diode Controllers
产品类型:	Power Management Specialized - PMIC
工厂包装数量:	3000
子类别:	PMIC - Power Management ICs

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

LM74912QRGERQ1 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LM74912-Q1理想二极管控制器

Texas Instrument LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFET。实现此功能是为了模拟具有电源路径开/关控制的理想二极管整流器，并具有过压、欠压和输出短路保护。3V至65V宽输入电源支持保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。该器件可以保护负载并承受低至-65V负电源电压。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个MOSFET以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中设有第二个MOSFET，在过流和过压事件时，可通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供基于外部MOSFET VDS检测的短路保护以及可调电流限制。当输出端检测到短路情况时，器件会锁断负载断开MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，并在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。Texas Instruments LM74912-Q1最大额定电压为65V。