LMG1210RVRR

Texas Instruments
595-LMG1210RVRR
LMG1210RVRR

制造商:

说明:
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
逻辑类型: TTL
最大关闭延迟时间: 18 ns
最大开启延迟时间: 18 ns
湿度敏感性: Yes
空闲时间—最大值: 18 ns
工作电源电流: 380 uA
输出电压: 5 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 20 ns
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: GaN
单位重量: 26.800 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

LMG1210 200V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

Texas Instruments LMG1210 200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器设计用于高频、高效率应用。该器件是具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及3.4ns高侧/低侧匹配(以优化系统效率)的应用的理想选择。LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器设有内部LDO,可确保5V的栅极驱动电压,且不受电源电压影响。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
686
预期 2026/10/12
9,000
预期 2027/2/23
生产周期:
26
大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥40.1263 ¥40.13
¥30.3179 ¥303.18
¥27.8884 ¥697.21
¥25.1877 ¥2,518.77
¥23.9673 ¥5,991.83
¥23.7978 ¥11,898.90
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥21.7186 ¥65,155.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。