LMG1210RVRT

Texas Instruments
595-LMG1210RVRT
LMG1210RVRT

制造商：

说明：
栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
逻辑类型: TTL
最大关闭延迟时间: 18 ns
最大开启延迟时间: 18 ns
湿度敏感性: Yes
空闲时间—最大值: 18 ns
工作电源电流: 380 uA
输出电压: 5 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 20 ns
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
工厂包装数量: 250
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: GaN
单位重量: 26.800 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

LMG1210 200V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

Texas Instruments LMG1210 200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器设计用于高频、高效率应用。该器件是具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及3.4ns高侧/低侧匹配（以优化系统效率）的应用的理想选择。LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器设有内部LDO，可确保5V的栅极驱动电压，且不受电源电压影响。

供货情况

库存：
0

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在途量:
3,497
预期 2027/3/30
6,750
2,250
预期 2027/9/6
1,750
预期 2027/11/22
2,750
预期 2028/1/24
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥61.6641 ¥61.66
¥47.5956 ¥475.96
¥44.0361 ¥1,100.90
¥40.1263 ¥4,012.63
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥38.2957 ¥9,573.93
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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