TK7Q60W,S1VQ

Name: Toshiba TK7Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK7Q60WS1VQ
Price: 26.28 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK7Q60WS1VQ

制造商编号：

TK7Q60W,S1VQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A

数据表:

TK7Q60W,S1VQ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	7 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.7 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	60 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	DTMOSIV
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
系列:	TK7Q60W
工厂包装数量:	75
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	55 ns
典型接通延迟时间:	40 ns
单位重量:	340 mg

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Reliability Tests Report

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.