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SIHFBF20STRL-GE3

Name: Vishay SIHFBF20STRL-GE3
Brand: Vishay / BC Components
SKU: 594-SIHFBF2STRL-GE3
Price: 15.96 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

594-SIHFBF2STRL-GE3

制造商编号：

SIHFBF20STRL-GE3

制造商：

Vishay / BC Components

说明：

MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V

寿命周期:

Mouser 的新产品

数据表:

SIHFBF20STRL-GE3 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
商标:	Vishay / BC Components
产品类型:	MOSFETs
系列:	SIH
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥18.0348	¥18.03
	¥11.413	¥114.13
	¥7.7292	¥772.92
	¥6.2715	¥3,135.75
	¥5.6161	¥5,616.10
	¥5.2545	¥13,136.25
	¥5.0511	¥25,255.50

SIHFBF20STRL-GE3

制造商： Vishay / BC Components

说明： MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V

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特色产品 VISHAY

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Vishay / BC Components

说明：

MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V

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