SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 16.98 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIR4606DP-T1-GE3

制造商编号：

SIR4606DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

数据表:

SIR4606DP-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	54 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	60 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道30-45V (D-S) MOSFET

Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐，可实现最低RDS-Qoss FOM，具有顶部冷却功能，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。

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库存量: 2,323

库存：: 2,323

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在途量:: 6,000

预期 2026/10/5
生产周期：: 38

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥19.1874	¥19.19
	¥11.9893	¥119.89
	¥7.8987	¥789.87
	¥6.2715	¥3,135.75
	¥5.8082	¥5,808.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.085	¥15,255.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIR4606DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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