SIDR402DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIDR402DP-T1-GE3
SIDR402DP-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.16 mOhms
- 16 V, 20 V
2.3 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 40 ns
正向跨导 - 最小值: 147 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 100 ns
系列: SIDR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 750 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
以色列
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET

Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用，包括同步整流、DC/DC转换、电源、电池管理等。                        

供货情况

库存：
0

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在途量:
2,700
预期 2026/10/26
生产周期：
38
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥33.8322 ¥33.83
¥22.1706 ¥221.71
¥16.1251 ¥1,612.51
¥13.4809 ¥6,740.45
¥12.5769 ¥12,576.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥11.8311 ¥35,493.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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