SIR165DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIR165DP-T1-GE3
SIR165DP-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
60 A
3.8 mOhms
20 V
2.3 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: SIR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

库存量: 13,111

库存：
13,111 可立即发货
生产周期：
38 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥21.7525 ¥21.75
¥10.6672 ¥106.67
¥9.5937 ¥959.37
¥7.6727 ¥3,836.35
¥7.4919 ¥7,491.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥6.7009 ¥20,102.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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