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SUP60061EL-GE3

Name: Vishay SUP60061EL-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUP60061EL-GE3
Price: 43.7 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SUP60061EL-GE3

制造商编号：

SUP60061EL-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET TO220 P-CH 80V 150A

数据表:

SUP60061EL-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	150 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	218 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Bulk
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	30 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	140 ns
典型接通延迟时间:	35 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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