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SQJ418EP-T1_BE3

Name: Vishay SQJ418EP-T1_BE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SQJ418EP-T1_BE3
Price: 13.47 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQJ418EP-T1_BE3

制造商编号：

SQJ418EP-T1_BE3

制造商：

Vishay

说明：

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:

SQJ418EP-T1_BE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay
产品类型:	MOSFETs
系列:	SQJ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SQJ车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ车用MOSFET是TrenchFET^®Gen IV N沟道40V_DS功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并且通过了R_g和无钳位电感开关 (UIS) 测试，Q_gd/Q_gs比小于1，可优化开关特性。SQJ车用MOSFET具有非常低的R_DS(on)，工作温度范围为-55°C至175°C。这些车规级MOSFET采用PowerPAK^® SO-8L封装（单/双配置）。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器，以及电池管理。

特色产品

VISHAY

SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

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SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

了解更多的信息

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

了解更多的信息

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R_{DS x}Q_g 品质因数（FOM）。

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库存量: 2,845

库存：: 2,845 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 7 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥15.2211	¥15.22
	¥7.2546	¥72.55
	¥6.4749	¥647.49
	¥5.1076	¥2,553.80
	¥4.9268	¥4,926.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥4.1019	¥12,305.70
	¥4.0454	¥24,272.40

SQJ418EP-T1_BE3

制造商： Vishay

说明： MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Vishay

说明：

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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