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FFSH20120ADN-F155

Name: onsemi FFSH20120ADN-F155
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSH20120ADNF155
Price: 99.48 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FFSH20120ADNF155

制造商编号：

FFSH20120ADN-F155

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 20A

数据表:

FFSH20120ADN-F155 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
配置:	Dual Anode Common Cathode
If - 正向电流:	20 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.45 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	96 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
系列:	FFSH20120A
封装:	Tube
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	150 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
零件号别名:	FFSH20120ADN_F155
单位重量:	6.390 g

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数据表

FFSH20120ADN-F155 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FFSH碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSH碳化硅 (SiC) 肖特基二极管可提供更高的系统效率，最高结温为175º。这些肖特基二极管具有高浪涌电流能力，无开关损耗。这些二极管使用碳化硅半导体材料，不仅可提高工作频率、增加功率密度，还可降低系统尺寸/成本。这样可以确保在浪涌或过电压条件下保持高可靠性和稳健性。

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案，设计用于现代电力电子应用。安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装，如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3，可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

1200V碳化硅肖特基二极管

安森美半导体1200V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

碳化硅肖特基二极管

安森美半导体碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的650V和1200V器件有各种电流和封装选项可供选择，非常适合用于下一代电源系统设计。