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FFSH3065B-F085

Name: onsemi FFSH3065B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH3065B-F085
Price: 79.28 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-FFSH3065B-F085

制造商编号：

FFSH3065B-F085

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 30A SIC SBD

数据表:

FFSH3065B-F085 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-2
配置:	Single
If - 正向电流:	30 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.38 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	110 A
Ir - 反向电流 :	40 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
系列:	FFSH3065B_F085
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	268 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
单位重量:	5.321 g

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数据表

FFSH3065B-F085 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。