FFSP1065B

Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 30.89 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FFSP1065B

制造商编号：

FFSP1065B

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 10A

数据表:

FFSP1065B 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2
配置:	Single
If - 正向电流:	10 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.38 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	45 A
Ir - 反向电流 :	40 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
系列:	FFSP1065B
封装:	Tube
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	75 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	50
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
单位重量:	3.698 g

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数据表

FFSP1065B 数据表 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。

FFSP碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSP碳化硅肖特基二极管旨在充分利用碳化硅器件相对于硅 (Si) 器件的优势。FFSP碳化硅肖特基二极管具有更高的正向浪涌能力、更低的反向漏电流并且无无反向恢复电流。另外，这些碳化硅肖特基二极管还具有与温度无关的开关特性和出色的散热性能。这样可以提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。