FFSP3065B-F085

onsemi
863-FFSP3065B-F085
FFSP3065B-F085

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
110 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
FFSP3065B-F085
AEC-Q101
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 197 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管,设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项,包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。 这些二极管具有低电容电荷(QC),优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征,这些二极管非常适用于功率因数校正(PFC)和输出整流应用。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术,与硅器件相比,可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势,包括:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器,以及符合AEC-Q100标准的器件。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

库存量: 456

库存:
456 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥73.7777 ¥73.78
¥40.2054 ¥402.05
¥36.8945 ¥3,689.45
¥34.239 ¥17,119.50