NCP5106ADR2G

onsemi
863-NCP5106ADR2G
NCP5106ADR2G

制造商:

说明:
栅极驱动器 HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
500 mA
- 300 mV
20 V
85 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
NCP5106
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
工作电源电流: 5 mA
Pd-功率耗散: 178 W
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 540 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NCP5106和NCP5109高压侧驱动器

安森美半导体NCP5106和NCP5109高压侧驱动器设有两路输出,可直接驱动采用半桥配置的两个N通道功率MOSFET或绝缘栅极双极晶体管(IGBT)。 这些高电压、高侧和低侧驱动器具有每纳秒50伏 (V/ns) 的dV/dt抗扰度,并与3.3V和5V输入逻辑兼容。 这些器件采用自举技术,以确保适当驱动高侧电源开关,并提供坚固的设计。

NCP5106侧驱动器的电压范围高达600V。NCP5109侧驱动器的电压范围高达200V。两款器件 均有两种版本可选。 每款器件的A版本均设有独立的逻辑输入,可适应所有拓扑结构。 B版本设有交叉传导保护,具有100ns的内部固定死区时间。

NCP5106和NCP5109高压侧驱动器采用SOIC−8、PDIP−8和DFN10封装,无铅,并与行业标准器件引脚对引脚兼容。
了解详情

库存量: 10,417

库存:
10,417
可立即发货
在途量:
12,500
预期 2026/9/21
生产周期:
22
大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 5000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥10.4186 ¥10.42
¥7.5597 ¥75.60
¥6.8478 ¥171.20
¥6.0568 ¥605.68
¥5.6726 ¥1,418.15
¥5.4466 ¥2,723.30
¥5.2771 ¥5,277.10
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥4.9155 ¥12,288.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。