NCV57101DWR2G

onsemi
863-NCV57101DWR2G
NCV57101DWR2G

制造商:

说明:
电流隔离式栅极驱动器 ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 电流隔离式栅极驱动器
RoHS:  
NCD57100
SMD/SMT
SOIC-16
1 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 125 C
1.4 W
90 ns
15 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
最大关闭延迟时间: 90 ns
最大开启延迟时间: 90 ns
输出端数量: 1 Output
输出电流: 7 A
输出电压: 0 V to 32 V
产品: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 1000
电源电压-最大: 5 V
电源电压-最小: 3.3 V
技术: SiC
类型: IGBT Gate Driver
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑,逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度,系统设计人员需要采用各种开关技术,包括硅、IGBT和SiC,以满足最佳应用要求。

NCD57100 栅极驱动器

onsemi NCD57100栅极驱动器是大电流单通道IGBT驱动器,具有内部电隔离功能。  onsemi NCD57100设计用于提高大功率应用中的系统效率和可靠性。 显著特性包括互补输入、开漏故障和READY输出。NCx5710y型号可在输入侧提供5V和3.3V信号,驱动器侧具有宽偏置电压范围,包括负电压能力。

库存量: 1,584

库存:
1,584 可立即发货
生产周期:
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.1369 ¥26.14
¥19.5377 ¥195.38
¥17.8879 ¥447.20
¥16.0686 ¥1,606.86
¥15.1985 ¥3,799.63
¥14.9386 ¥7,469.30
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥13.899 ¥13,899.00
¥12.8594 ¥25,718.80
¥12.769 ¥63,845.00