NSS60200LT1G

onsemi
863-NSS60200LT1G
NSS60200LT1G

制造商：

说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Single
2 A
60 V
80 V
7 V
180 mV
540 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS60200LT1G
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理，如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制，如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美（onsemi）e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想元件。

库存量: 32,358

库存：
32,358 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 690
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥7.8535 ¥7.85
¥5.4127 ¥54.13
¥3.4352 ¥343.52
¥2.1244 ¥1,062.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.1244 ¥6,373.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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