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NTH4L060N090SC1

Name: onsemi NTH4L060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N090SC1
Price: 75.18 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTH4L060N090SC1

制造商编号：

NTH4L060N090SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

数据表:

NTH4L060N090SC1 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	46 A
Rds On-漏源导通电阻:	84 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	87 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	221 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	17 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
系列:	NTH4L060N090SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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数据表

NTH4L060N090SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。