NXH35C120L2C2ESG

Mouser编号：

863-NXH35C120L2C2ESG

制造商编号：

NXH35C120L2C2ESG

制造商：

onsemi

说明：

IGBT 模块 TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NXH35C120L2C2ESG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	IGBT 模块
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.8 V
在25 C的连续集电极电流:	35 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
技术:	Si
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	IGBT Modules
系列:	NXH35C120L2C2E
工厂包装数量:	6
子类别:	Discrete and Power Modules

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CNHTS:: 8504409100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 越南
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DIP-26传递模压电源集成模块

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