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SZNSP2201MR6T1G

onsemi

Mouser编号：

863-SZNSP2201MR6T1G

制造商编号：

SZNSP2201MR6T1G

制造商：

onsemi

说明：

ESD保护二极管/TVS二极管 2ch Low Clamping Voltage ESD & Surge Protection Diode Array

数据表:

SZNSP2201MR6T1G 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	ESD保护二极管/TVS二极管
极性:	Unidirectional
通道数量:	2 Channel
工作电压:	5 V
端接类型:	SMD/SMT
钳位电压:	12 V
击穿电压:	6 V
封装 / 箱体:	TSOP-6
Ipp - 峰值脉冲电流:	25 A
峰值脉冲功耗 (Pppm):	500 W
Vesd - 静电放电电压触点:	30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙:	30 kV
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
产品:	ESD Suppressors
系列:	NSP2201MR6
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
工厂包装数量:	3000
子类别:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SZNSP2201MR6T1G 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NZ8P齐纳保护二极管

旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。

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MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管

这些设备为需要瞬态过电压能力的应用而设计。

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ESD5Z2.5T1G ESD 保护二极管

设计用于保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。

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各种图像传感器解决方案，从VGA到45MP，满足机器视觉需求。

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ESD1014 ESD 保护二极管

设计用于保护高速数据线路免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷电的影响。

了解更多的信息

库存量: 4,102

库存：: 4,102 可立即发货

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 700

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥7.4693	¥7.47
	¥4.6217	¥46.22
	¥2.9832	¥298.32
	¥2.2826	¥1,141.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.2826	¥6,847.80