UJ4SC075010L8SSR

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Mouser编号：

772-UJ4SC075010L8SSR

制造商编号：

UJ4SC075010L8SSR

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET UJ4SC075010L8S

寿命周期:

工厂特别订单:

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数据表:

UJ4SC075010L8SSR 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MO-229-8
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	106 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	556 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	12.8 ns
产品:	SiC FET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	22.4 ns
系列:	UJ4C
工厂包装数量:	200
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	17.6 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2024-10-18 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列，具有业界最佳的性能品质因数，可在更高速度下降低导通损耗并提高效率，从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装，形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件，在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。