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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
- MRF150MP
- MACOM
-
1:
¥4,929.5459
-
406库存量
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Mouser 零件编号
937-MRF150MP
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
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406库存量
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
- BLP15H9S30XY
- Ampleon
-
1:
¥213.3214
-
95库存量
-
100预期 2026/11/16
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S30XY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
|
|
95库存量
100预期 2026/11/16
|
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最低: 1
倍数: 1
:
100
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
Microchip Technology MDS800
- MDS800
- Microchip Technology
-
1:
¥5,366.7429
-
3库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
494-MDS800
工厂特别订单
|
Microchip Technology
|
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
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3库存量
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最低: 1
倍数: 1
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,455.4739
-
110库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
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110库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
120
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
¥531.2808
-
39库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP981XY
新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
|
|
39库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
- MRF166W
- MACOM
-
1:
¥1,707.2605
-
23库存量
-
100预期 2027/3/10
|
Mouser 零件编号
937-MRF166W
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
|
|
23库存量
100预期 2027/3/10
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
- BLP9G0722-20GZ
- Ampleon
-
1:
¥166.7541
-
1,207库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP9G0722-20GZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
|
|
1,207库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
- BLP15H9S30GZ
- Ampleon
-
1:
¥194.8798
-
3,350库存量
-
500预期 2026/11/4
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S30GZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
|
|
3,350库存量
500预期 2026/11/4
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL
- BLP15M9S30Z
- Ampleon
-
1:
¥207.2872
-
306库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15M9S30Z
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL
|
|
306库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL
- BLP15H9S10XY
- Ampleon
-
1:
¥203.3209
-
95库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S10XY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL
|
|
95库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL
- BLP15H9S100XY
- Ampleon
-
1:
¥251.2103
-
220预期 2027/1/18
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S100XY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL
|
|
220预期 2027/1/18
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
- BLF647PSJ
- Ampleon
-
100:
¥1,540.416
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF647PSJ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36040CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥501.0985
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36040CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 160
倍数: 160
:
160
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF3L05150CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,672.3548
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05150CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥286.3646
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 300
倍数: 300
:
300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V
MACOM MRF176GV
- MRF176GV
- MACOM
-
150:
¥1,871.4495
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF176GV
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低: 150
倍数: 150
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L10700CB4
- RF4L10700CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF4L10700CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L15030CB2
- RF5L15030CB2
- STMicroelectronics
-
180:
¥429.5469
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L15030CB2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 180
倍数: 180
:
180
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
- RF5L1214750CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L1214750CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
- RF5L10111K0CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L10111K0CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05400CB4
- RF3L05400CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,064.9685
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05400CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05200CB4
- RF3L05200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,288.6294
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05200CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
- MRF174
- Advanced Semiconductor, Inc.
-
1:
¥589.4645
-
61库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
974-MRF174
寿命结束
|
Advanced Semiconductor, Inc.
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
|
|
61库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥50.4658
-
10,126库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT05MS004NT1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
10,126库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥395.7034
-
477库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT05MP075NR1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
477库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|