半导体

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结果: 40
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors 406库存量
¥4,929.5459
¥4,292.7909
最低: 1
倍数: 1
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL 95库存量
100预期 2026/11/16
剪切带
¥213.3214
¥170.8108
¥158.4034
卷轴
¥140.6963
¥133.5886
¥132.4247
最低: 1
倍数: 1
: 100
Microchip Technology MDS800
Microchip Technology 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor 3库存量
¥5,366.7429
最低: 1
倍数: 1
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
剪切带
¥1,455.4739
¥1,160.3405
卷轴
¥1,160.3405
最低: 1
倍数: 1
: 120
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL 39库存量
剪切带
¥531.2808
¥439.1406
¥416.1451
卷轴
¥406.6305
¥393.3191
最低: 1
倍数: 1
: 100
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS 23库存量
100预期 2027/3/10
¥1,707.2605
¥1,452.163
¥1,444.9649
最低: 1
倍数: 1
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP 1,207库存量
剪切带
¥166.7541
¥133.0914
¥124.6503
¥117.9494
¥115.3052
卷轴
¥111.6666
最低: 1
倍数: 1
: 500
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 3,350库存量
500预期 2026/11/4
剪切带
¥194.8798
¥156.3355
¥146.6514
¥139.8714
¥135.5661
卷轴
¥131.6789
最低: 1
倍数: 1
: 500
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 306库存量
剪切带
¥207.2872
¥166.5846
¥156.4146
¥149.6346
¥145.0016
卷轴
¥140.6172
最低: 1
倍数: 1
: 500
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL 95库存量
剪切带
¥203.3209
¥162.7878
¥150.9567
卷轴
¥140.6963
¥127.2945
¥125.4752
最低: 1
倍数: 1
: 100
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL
220预期 2027/1/18
剪切带
¥251.2103
¥201.0835
¥186.5291
卷轴
¥173.8731
¥157.3299
最低: 1
倍数: 1
: 100
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor 无库存交货期 16 周
卷轴
¥1,540.416
最低: 100
倍数: 100
: 100
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
卷轴
¥501.0985
最低: 160
倍数: 160
: 160
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
剪切带
¥1,672.3548
¥1,305.4212
卷轴
¥1,305.4212
最低: 1
倍数: 1
: 100
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
卷轴
¥286.3646
最低: 300
倍数: 300
: 300
MACOM MRF176GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V 无库存交货期 28 周
¥1,871.4495
最低: 150
倍数: 150
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
¥1,718.1763
最低: 100
倍数: 100
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
卷轴
¥429.5469
最低: 180
倍数: 180
: 180
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
¥1,718.1763
最低: 100
倍数: 100
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
¥1,718.1763
最低: 100
倍数: 100
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存交货期 52 周
卷轴
¥1,064.9685
最低: 100
倍数: 100
: 100
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存交货期 52 周
卷轴
¥1,288.6294
最低: 100
倍数: 100
: 100
Advanced Semiconductor, Inc. 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor 61库存量
¥589.4645
¥534.1397
¥515.7207
¥497.2226
最低: 1
倍数: 1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 10,126库存量
剪切带
¥50.4658
¥33.0073
¥28.0466
¥26.0578
卷轴
¥20.5886
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V 477库存量
剪切带
¥395.7034
¥321.9596
¥302.1507
¥298.0714
最低: 1
倍数: 1