AG091FLD3HRBTL

ROHM Semiconductor
755-AG091FLD3HRBTL
AG091FLD3HRBTL

制造商：

说明：
MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 1,674

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.6055 ¥19.61
¥12.5769 ¥125.77
¥8.5202 ¥852.02
¥7.0964 ¥3,548.20
¥6.8139 ¥6,813.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.7856 ¥14,464.00
¥5.7291 ¥28,645.50

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
7.5 mOhms
20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
76 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽车用40A和80A功率MOSFET

ROHM Semiconductor汽车用40A和80A功率MOSFET是N沟道和P沟道器件。 此系列MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻，脉冲漏极电流为 ±80A/±160A，功耗高达142W。40A和80A功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经雪崩测试。该系列功率MOSFET非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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