AS1C4M16PL-70BINTR

Alliance Memory
913-AS1C4M16PL70BINT
AS1C4M16PL-70BINTR

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Alliance Memory AS1C4M16PL-70BINTR详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 2000   倍数： 2000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥48.5561 ¥97,112.20

产品属性 属性值 选择属性
Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
16 bit
133 MHz
FBGA-49
4 M x 16
70 ns
1.7 V
1.95 V
- 30 C
+ 85 C
AS1C4M16PL-70
Reel
商标: Alliance Memory
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 2000
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 25 mA
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

合规代码
USHTS:
8542320041
ECCN:
3A991.b.2.a
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Pseudo SRAM

Alliance Memory Pseudo SRAM uses DRAM-type memory cells and has a refresh-free operation and extreme low power consumption technology. The interface is compatible to a low-power Asynchronous type SRAM. These devices are variations of the industry-standard Flash control interface with a multiplexed address/data bus. The multiplexed address and data functionality dramatically reduces the required signal count and increases read/write bandwidth.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。