BSM080D12P2C008

ROHM Semiconductor
755-BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008

制造商：

说明：
分立半导体模块 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V

数据表:
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ROHM Semiconductor
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
SiC MOSFET-SiC SBD Modules
Half Bridge
SiC
1.2 kV
- 6 V, + 22 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
BSMx
Tray
商标: ROHM Semiconductor
配置: Half Bridge
下降时间: 40 ns
Id-连续漏极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 600 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 12
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
31 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 12   倍数： 12
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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