BSM300C12P3E201

ROHM Semiconductor
755-BSM300C12P3E201
BSM300C12P3E201

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

数据表:
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库存量: 4

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥6,103.6159 ¥6,103.62
¥5,998.6502 ¥71,983.80

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
5.6 V
- 40 C
+ 150 C
1.36 kW
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 40 ns
高度: 15.4 mm
If - 正向电流: 300 A
长度: 152 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 4
子类别: Discrete and Power Modules
类型: SiC Power Module
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
Vf - 正向电压: 1.6 V
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
宽度: 62 mm
单位重量: 615.801 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

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