C3M0075120K1

Name: Wolfspeed C3M0075120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0075120K1
Price: 65 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

941-C3M0075120K1

制造商编号：

C3M0075120K1

制造商：

Wolfspeed

说明：

碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

C3M0075120K1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Wolfspeed C3M0075120K1详情

库存量: 254

库存：: 254 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥73.45	¥73.45
	¥43.0982	¥430.98
	¥36.3069	¥4,356.83
	¥32.5101	¥16,580.15

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	32 A
Rds On-漏源导通电阻:	135 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	53 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	145 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Wolfspeed
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	10.5 S
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	22 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	8 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

C3M0075120K1 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1200V碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻。这些功率MOSFET可降低开关损耗和冷却要求，并最大限度地减少栅极振铃。1200V SiC功率MOSFET集成了一个具有低反向恢复(Q_rr)的快速本征二极管。这些功率MOSFET提高了功率密度和系统开关频率。1200V碳化硅功率MOSFET采用经过优化的封装，具有独立的驱动源引脚，采用薄型TO-247-4封装主体。这些功率MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器、太阳能/ESS、UPS和企业级PSU。

1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed 1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的R_ds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。