DIF120SIC022

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC022
DIF120SIC022

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C

寿命周期:
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数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥257.1654 ¥257.17
¥186.0319 ¥1,860.32
¥156.8327 ¥79,984.68

产品属性 属性值 选择属性
Diotec Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
120 A
22.3 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
DIF120SIC022
商标: Diotec Semiconductor
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 41.5 S
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 108 ns
典型接通延迟时间: 150 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

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