DIF120SIC022-AQ

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC022-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC022-AQ
Price: 485.76 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

637-DIF120SIC022-AQ

制造商编号：

DIF120SIC022-AQ

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive

数据表:

DIF120SIC022-AQ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	22.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	269 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	340 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	DIF120SIC022-AQ
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	35 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	38 ns
系列:	SIC120
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	108 ns
典型接通延迟时间:	150 ns

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.