DMG4800LK3-13

Name: Diodes Incorporated DMG4800LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4800LK3-13
Price: 7.32 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMG4800LK3-13

制造商编号：

DMG4800LK3-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A

数据表:

DMG4800LK3-13 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	8.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.71 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	8.55 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.5 ns
系列:	DMG4800
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	26.33 ns
典型接通延迟时间:	5.03 ns
单位重量:	330 mg

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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