DXTN78100CFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTN78100CFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN78100CFGQ-7
Price: 7.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DXTN78100CFGQ-7

制造商编号：

DXTN78100CFGQ-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

寿命周期:

新产品:

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数据表:

DXTN78100CFGQ-7 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerVDFN-8
晶体管极性:	NPN
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	100 V
集电极—基极电压 VCBO:	150 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	8 V
集电极—射极饱和电压:	130 mV
Pd-功率耗散:	2.4 W
增益带宽产品fT:	210 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
系列:	DXTN
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
集电极连续电流:	4 A
直流电流增益 hFE 最大值:	420 at 100 mA
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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