FDMS86183

Name: onsemi FDMS86183
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86183
Price: 15.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDMS86183

制造商编号：

FDMS86183

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

数据表:

FDMS86183 数据表 (PDF)

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥17.9444	¥17.94
	¥11.4921	¥114.92
	¥7.797	¥779.70
	¥6.215	¥3,107.50
	¥5.8421	¥5,842.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.5596	¥16,678.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	51 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	63 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	FDMS86183
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
单位重量:	68.100 mg

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PCN

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屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是100V N沟道MV MOSFET，采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺研发而成。这些MOSFET将通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)降至最低，以提供出色的开关性能和效率。小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和品质因数(FOM)确保同步整流应用的快速切换。这些器件的电压过冲很小甚至没有，降低了电压振铃，并减少了EMI，适用于电源和电机驱动等要求额定电压为100V的MOSFET的应用。此外，MOSFET提高了功率密度，使MOSFET能够更大幅地降额。这些器件100%经过UIL测试，可采用MSL1稳健封装设计。
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