FFSB0865B-F085

onsemi
863-FFSB0865B-F085
FFSB0865B-F085

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V 8A SIC SBD GEN1.5

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 867

库存：
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生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于867的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按800的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥42.0247 ¥42.02
¥27.9562 ¥279.56
¥19.9332 ¥1,993.32
¥17.6958 ¥8,847.90
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥16.046 ¥12,836.80
¥15.4697 ¥37,127.28
9,600 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
500 nA
- 55 C
+ 175 C
FFSB0865B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 73 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 800
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 650 V
单位重量: 2.240 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSx0865B-F085 650V碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSx0865B-F085 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。FFSx0865B-F085碳化硅二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。其他优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和更低的成本。FFSx0865B-F085 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用D2PAK-3封装。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。 这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

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