FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Infineon Technologies
726-FS01M3R08A8MA2CH
FS01M3R08A8MA2CHPSA1

制造商：

说明：
分立半导体模块 HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

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单价:
¥-.--
总价:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥7,479.7638 ¥7,479.76
¥5,899.5492 ¥70,794.59

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 分立半导体模块
Module
SiC
4.56 V
- 5 V, + 19 V
Press Fit
HybridPACK
- 40 C
+ 175 C
Tray
商标: Infineon Technologies
下降时间: 58 ns
Id-连续漏极电流: 530 A
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
上升时间: 96 ns
工厂包装数量: 6
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HybridPACK
典型关闭延迟时间: 338 ns
典型接通延迟时间: 114 ns
Vds-漏源极击穿电压: 750 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.55 V
零件号别名: FS01M3R08A8MA2C SP006157554
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
德国
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK™ Drive G2模块是紧凑型电源模块，专为混动和电动汽车牵引而设计。 英飞凌G2模块采用Si或SiC技术及不同的芯片组，实现可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该产品于2017年推出，采用硅基EDT2技术，针对实际驱动效率进行了优化。2021年，推出CoolSiC™版本，实现更高的电芯密度和更佳的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，实现传感器易用性和集成功能，在750V和1200V级别中实现高达300kW的性能。

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