FS1000R08A7P3BHPSA1

Name: Infineon FS1000R08A7P3BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1000R08A7P3BHP
Price: 2862.27 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FS1000R08A7P3BHP

制造商编号：

FS1000R08A7P3BHPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET模块 HybridPACK Drive G2 module

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

FS1000R08A7P3BHPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	HybridPACK
Vgs th-栅源极阈值电压:	6.65 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	750 W
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	91 ns
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	50 ns
工厂包装数量:	6
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	929 ns
典型接通延迟时间:	222 ns
Vf - 正向电压:	1.76 V
Vr - 反向电压 :	750 V
零件号别名:	FS1000R08A7P3B SP005913585

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 德国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK™ Drive G2模块是紧凑型电源模块，专为混动和电动汽车牵引而设计。英飞凌G2模块采用Si或SiC技术及不同的芯片组，实现可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该产品于2017年推出，采用硅基EDT2技术，针对实际驱动效率进行了优化。2021年，推出CoolSiC™版本，实现更高的电芯密度和更佳的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，实现传感器易用性和集成功能，在750V和1200V级别中实现高达300kW的性能。