GCMX003A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S3B1N
Price: 1963.31 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

148-GCMX003A120S3B1N

制造商编号：

GCMX003A120S3B1-N

制造商：

SemiQ

说明：

MOSFET模块 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

寿命周期:

新产品:

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数据表:

GCMX003A120S3B1-N 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	S3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	625 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.113 kW
系列:	GCMX
封装:	Bulk
商标:	SemiQ
下降时间:	28 ns
高度:	30 mm
长度:	106.4 mm
产品:	Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	21 n
工厂包装数量:	15
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Half Bidge Module
典型关闭延迟时间:	138 ns
典型接通延迟时间:	79 ns
Vf - 正向电压:	4 V
宽度:	61.4 mm

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数据表

GCMX003A120S3B1-N 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 美国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一项出色特性是其稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。