GCMX020A120B2B1P

SemiQ
148-GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P

制造商：

说明：
MOSFET模块 SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module

数据表:
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库存量: 40

库存：
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3 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥475.956 ¥475.96
¥378.0641 ¥3,780.64
¥349.2378 ¥34,923.78
整卷卷轴（请按40的倍数订购）
¥378.0641 ¥15,122.56
500 报价

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
102 A
19 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
385 W
GCMX
Reel
Cut Tape
商标: SemiQ
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 40
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Half-Bridge
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一项出色特性是其稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。

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