GE04MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06E-TR
Price: 12.68 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

905-GE04MPS06E-TR

制造商编号：

GE04MPS06E-TR

制造商：

GeneSiC Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

GE04MPS06E-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E-TR详情

库存量: 7,530

库存：: 7,530 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.3284	¥14.33
	¥12.4187	¥124.19
	¥11.7294	¥293.24
	¥10.7689	¥1,076.89
	¥10.1587	¥2,539.68
	¥9.8988	¥4,949.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥8.3959	¥20,989.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Navitas Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-2
配置:	Single
If - 正向电流:	4 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	22 A
Ir - 反向电流 :	1 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	SiC Schottky MPS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散:	101 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	2500
子类别:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 :	650 V

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

GE04MPS06E-TR 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.