HAS310M17BM3

Wolfspeed
941-HAS310M17BM3
HAS310M17BM3

制造商:

说明:
分立半导体模块 SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

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¥7,625.4999 ¥76,255.00

产品属性 属性值 选择属性
Wolfspeed
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
SiC Modules
Half Bridge
SiC
1.78 V
900 V
- 8 V, + 19 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
商标: Wolfspeed
Id-连续漏极电流: 399 A
Pd-功率耗散: 1.63 kW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HAS恶劣环境SiC半桥模块

Wolfspeed HAS恶劣环境碳化硅(SiC)半桥模块具有SiC的系统优势,同时保持稳健的行业标准62mm模块封装。得益于低电感布局,内部设计实现了高速SiC开关优势并提高了系统效率。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用,如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。

1700V BM SiC半桥模块

Wolfspeed 1700V BM 碳化硅 (SiC) 半桥电源模块具有业界标准的62mm占位面积、铜基板和氮化铝绝缘体。这些模块提供超低损耗、高频运行、来自MOSFET的零关断拖尾电流,以及二极管的零反向恢复。 这些半桥模块具有62mm外形尺寸,由于SiC的开关和导通损耗低,因此可对系统进行改造并提高效率。这些模块的虚拟结温范围为-40°C至+150°C,电流 (IDS) 为310A,外壳温度范围为-40°C至+125°C。Wolfspeed 1700V BM SiC半桥模块非常适合用于感应加热、电机驱动、可再生能源和电动汽车快速充电应用。

62mm碳化硅半桥模块

Wolfspeed 1200V和1700V 62mm碳化硅(SiC)半桥模块将SiC的系统优势与强大的低电感布局相结合。得益于SiC的低开关和导通损耗,半桥模块提高了系统效率。这些电源模块采用低电感内部布局,可最大限度地利用电压,同时将过冲和振荡降至最低。半桥模块 可选择氮化铝陶瓷来降低热阻并实现稳定的CTE匹配,或选择氮化硅陶瓷以支持更高的持续最高结温运行。