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IDH10G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH10G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH10G65C5XKSA2
Price: 41.36 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IDH10G65C5XKSA2

制造商编号：

IDH10G65C5XKSA2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES

数据表:

IDH10G65C5XKSA2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2
配置:	Single
If - 正向电流:	10 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	82 A
Ir - 反向电流 :	500 nA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
系列:	XDH10G65
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
Pd-功率耗散:	89 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	500
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	CoolSiC
零件号别名:	IDH10G65C5 SP001632410
单位重量:	2 g

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数据表

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Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-TO220-2-1 | IDH10G65C5XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

PSpice CoolSiC™ Schottky diode 650V G5 IDHxxG65C5 (邮政)

Technical Resources

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管

英飞凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管提供的产品组合可满足对更智能、更高效能量生成、传输和消耗的需求。CoolSiC产品组合可满足客户在中高功率系统中减小系统尺寸和降低成本的需求，同时满足最高质量标准，延长系统使用寿命并确保可靠性。凭借CoolSiC，客户将实现最严格的效率目标，同时降低操作系统成本。该产品组合包括CoolSiC肖特基二极管、CoolSiC混合模块、CoolSiC MOSFET模块和分立式器件，以及用于驱动碳化硅器件的EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC。

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).