IKW15N120H3

Name: Infineon IKW15N120H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120H3
Price: 40.11 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-IKW15N120H3

制造商编号：

IKW15N120H3

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS

数据表:

IKW15N120H3 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.05 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	217 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trenchstop IGBT4
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	600 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1
单位重量:	38 g

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数据表

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.