IKW30N60H3

Name: Infineon IKW30N60H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N60H3
Price: 37.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IKW30N60H3

制造商编号：

IKW30N60H3

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A 187W

数据表:

IKW30N60H3 数据表 (PDF)

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制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.95 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	60 A
Pd-功率耗散:	187 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trenchstop IGBT3
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW3N6H3XK SP000703042 IKW30N60H3FKSA1
单位重量:	6.500 g

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.