IKW40N120T2

Name: Infineon IKW40N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120T2
Price: 67.2 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IKW40N120T2

制造商编号：

IKW40N120T2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IKW40N120T2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IKW40N120T2详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.75 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	75 A
Pd-功率耗散:	480 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trenchstop IGBT2
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
单位重量:	38 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IKW40N120T2 数据表 (PDF)

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT 采用 IR 最新一代有沟槽栅、场终止技术，工业标准 TO-247 封装，拥有同类最佳的性能，适用于工业和节能型应用。第 8 代技术提供软关断特性，适用于电机驱动应用，尽量减小 dv/dt 以降低 EMI，和过电压，同时提高了可靠性和耐用性。这些第 8 代 IGBT 具有从 8A 至 60A 的电流额定值，其中 V CE(导通) 典型值为 1.7V，短路保护额定值为 10µs，这降低了功率耗散，从而提高了功率密度和鲁棒性 1200V 第 8 代 IGBT 采用薄晶片技术，改进了热阻性能，最大结温为 175ºC。
了解更多