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IKW50N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW50N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65ET7XKSA1
Price: 46.85 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IKW50N65ET7XKSA1

制造商编号：

IKW50N65ET7XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

数据表:

IKW50N65ET7XKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.35 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	273 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	IGBT7 T7
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW50N65ET7 SP005348292

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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